2ちゃんねる ★スマホ版★ ■掲示板に戻る■ 全部 1- 最新50  

■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています

【技術】「IBM、22nmプロセスのSRAMセルを開発」SRAMセルの小型化により、CPUの高性能化が可能に[08/19]

1 :冷やし中華 部分的に終わりました(060918)φ ★:2008/08/19(火) 21:59:44 ID:???
☆IBM、22nmプロセスのSRAMセルを開発――2011年までに製品化

米国IBMは8月18日、PC/サーバ向けCPUの消費電力を引き下げ、性能を向上させるうえで
重要となるメモリ・チップの小型化に成功したと発表した。同社では、CPUで使用する
テスト用メモリ・チップの線幅を22ナノメートル(nm)にすることで、プロセッサの多機能化
と処理速度の向上、消費電力の低減を実現できたとしている。

このメモリ・チップは、SRAMセルと呼ばれるもので、
CPUに組み込まれ、処理前のデータを一時的に保存するため使われる。

IBMのプロジェクト・マネジャー、ムケシュ・カーレ氏によると、メモリ・セルの小型化は、
マイクロプロセッサを小型化するための重要な要素になるという。IBMは2011年までに22nm
プロセスを使用するCPUを製造する方針だ。

カーレ氏は、22nmプロセスを使用することにより、より小型のチップに3Dグラフィックス
やアニメーションなどの多彩な機能を搭載したり、グラフィックス・チップをマイクロ
プロセッサの中に組み込んだりすることができると語っている。

「CPUに組み込まれるコアの数が増えると、マイクロプロセッサ内のメモリも大幅に増強する
必要が出てくる。マイクロプロセッサのメモリを増やすための技術の開発は、CPUを拡張する
ための基本的な要件である」(カーレ氏)

1nmは10億分の1メートルに相当し、チップ表面の最も小さな要素はnm単位で表される。

チップ・メーカーは、消費電力を引き下げ、処理速度を向上させるため、常に最新のチップ
製造技術を導入しようとしている。IBMのライバルである米国Intelは、45nmプロセスを使用
したチップを製造しており、2011年には22nmプロセスへの移行を計画している。IBMも45nm
プロセスへの切り替えを年内に実施する予定だ。

カーレ氏は、「今後も新たな世代のチップを開発して、機能の拡張と回路の
小型化に取り組んでいきたい。技術開発の余地は数多く残っている」と語る。

IBMによるSRAMセルの研究は、米国オルバニー大学ナノスケール科学工学校(CNSE)において、
米国AMD、米国Freescale Semiconductor、スイスのSTMicroelectronics、東芝などのパートナー
と共同で進めており、今回のテスト用SRAMチップは、同大学の小型製造ユニットを使って作られた。

http://www.computerworld.jp/topics/ibm/118889.html


2 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:00:51 ID:KuuS80/0
また余計な事しやがって・・MSが重いの作るじゃん

3 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:07:51 ID:t9Jn9VNB
微細化も実用化出来るのはこれくらいまでかな。
22nmって原子100個分を切るサイズだから。

4 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:11:35 ID:aNYWd5Lh
22nmって、どの波長の光で切るの?

X線露光?
2011年には立ち上がらないよなあ。

5 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:16:50 ID:a2IP+2TL
株価対策

6 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:21:41 ID:RA22Wxm5
>>4
EUV

7 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:25:42 ID:Y53VCiR7
カレーもいいけど御節もね。

8 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:36:17 ID:lCQL3SLX
いや凄いとは思うけどさ、早くマザボの機能を1チップに載せてくれよ。

9 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:36:14 ID:KVMkZai7
>>3

5nm までいけるそうよ
それ以上はトンネル効果でむりぽと聞いてる

10 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:37:25 ID:t9Jn9VNB
>>6
今回は高NAの液浸エキシマらしい

11 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:38:49 ID:lYwcH8Wv
すごえなあ

12 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:40:54 ID:t9Jn9VNB
>>9
実用化の場合はコストやばらつき問題を克服できるかだね。
EUVはまだ問題だらけだし。

13 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:44:43 ID:RA22Wxm5
>>10
液浸で線幅22nmいくのか
DPなのかな?


14 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 22:52:55 ID:AJ5RiAxJ
1000万分の1ミリメートルと理解してもいいのだろうか?

15 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 23:18:45 ID:aNYWd5Lh
今の実用的な線幅縮小技術って何?
液浸と、レジスト膨張?あとは?

16 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 23:18:48 ID:JbfYadg+
22nmってすごい・・・
でも、抵抗や寄生容量はどうなんだろ??
ふつーに増加してるのかな?

17 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 23:40:56 ID:ey0kGuyt
お前らが何を言ってるのかさっぱり理解できんwwwww

18 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 23:47:16 ID:+lobyAIo
45nmでスゲーとか思ってたのに・・・
もう22nmカヨ。

19 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 23:48:56 ID:hPgMQuGx
100nmぐらいで温度が上がって限界って言ってた気がするんだが

20 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 23:49:02 ID:2gM8Pz5S
今のところ目処が立ってるのが22nmまで
2014年くらいまでは大丈夫
それ以降は、ロードマップが真っ白です
もう半導体の微細化が止まるかどうかの瀬戸際
各半導体研究機関の技術者は((((;゚Д゚))))ガクガクブルブル

21 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 23:56:20 ID:+2Uqn/k7
珪素って0.2nmくらいの大きさだよね

22 :名無しのひみつ:2008/08/19(火) 23:58:12 ID:d4f0ts3R
>>20
そろそろだな
壁にぶち当たった後、どうなるのか楽しみだ

23 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 00:03:35 ID:yUmswbg0
超低電圧稼動ですね。

つぎはえんやーとっとーの漁師計算機だ。

24 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 00:30:06 ID:9hSHKapg
これからは低消費電力の時代

25 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 00:44:45 ID:eWeApwQW
じゃあPen4・2.2GHzであと3年ねばることにするw
クアッドコア買わなくてよかったww

26 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 00:50:51 ID:HHSJuoJ4
俺もpen4 2,2GHzだが
さすがに冬にでも自作しようとしたが、これはまた待つべきなのかw


27 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 00:57:07 ID:EOI2GDN2
>>23
俺はむしろ猟師計算機だと思うね。
猟師ドット

28 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 00:59:55 ID:kRCQIT+W
CPUの動作クロックが10GHzとか100GHzになるって話ですか?

29 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 01:08:34 ID:FIi36RyP
いつもいつも消費電力低減なんて抜かしやがって
爆熱もなんとかしろ

30 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 01:18:06 ID:i0WCbo10
>>28 少し古い情報だが・・・
・IBMと米大学、500GHzチップをデモ

 米IBMと米ジョージア工科大学は6月20日、500GHz以上のクロック周波数で動作できる
初の半導体チップの実験デモを行った。

 研究者らは、シリコンゲルマニウム(SiGe)チップを華氏マイナス451度に冷やすことで
この速度を達成した。SiGeチップは低温の方が高速で動作する。これほどの低温状態が
自然に見られるのは宇宙空間のみだが、今回の実験では、液体ヘリウムなどを使って
人工的に超低温状態を作り上げた。

 今回テストされたチップは、IBMの200ミリウエハーで、第4世代SiGe技術のプロトタイプから
作られた。このチップは室温では約350GHzで動作する。コンピュータシミュレーションでは、
この技術は、いつかは室温でもさらに高い周波数(1000GHz、つまり1テラHz近く)を実現する
可能性があることが示された。

 SiGeはシリコンの電気特性をゲルマニウムで強化し、より効率的にチップを動作させる
プロセス技術。IBMは1998年に業界初の標準的なSiGeチップの量産を開始した。

ソース:ITmedia
tp://www.itmedia.co.jp/news/articles/0606/20/news072.html


31 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 01:47:32 ID:aRRck6T/
関係ないけど、MRAMとかってもう実用化してるの?

32 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 02:19:14 ID:kRCQIT+W
>>30
スイマセンデシタ

33 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 03:18:37 ID:Ml2joBjh
>>29
消費電力が低い=発熱は少ない
消費電力が下がり冷却系のマージンが増えた分を高クロック化に回さなければいいだけ。
CPUのクロック数なんか、BIOSでいくらでも下げれるでしょ。

34 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 03:22:07 ID:QUKA1Mfv
>>31
とっくにされてる。

35 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 03:31:15 ID:QUKA1Mfv
>>30
Trの遮断周波数が500GHz程度なだけで、コンピュータが500GHzで動作するわけじゃないよ。
普通のシリコンMOSでも200GHz程度まで動くし、IBMとか発表がいちいち大げさなんだよな。

36 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 04:48:38 ID:mCa/mku1
そのパソコンで2ch見るわけ?
もう明らかにオーバースペックだろ。


37 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 04:50:37 ID:3iVvcD6C
>>2
wwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwww

38 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 07:17:53 ID:AJyWAPci
俺が最後に作ったASICが0.25umとか0.18umとかいってたなぁ。
本当に桁1つ変わってしまった。

39 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 07:33:45 ID:0axw3fmg
>>12 バラツキはコアを増やすだけ増やして、そのうち何個作動するかで振り分けるんじゃね?

40 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 08:50:34 ID:W/K1Jf3w
>>19 俺も珪素では100〜50nmが限界だと思ってたby有機物美術館。
だから45nmが出てきた時には新しい技術でも出てきたのか?って思った。


41 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 11:33:39 ID:6TsGjEsi
ICの誕生から50年。そろそろこの業界も飽和する時か

42 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 12:21:01 ID:QxsuApMh
>>20
10年おきに1nmで徐々に微細化していけば
一生食えるNE

43 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 13:11:57 ID:2CWKw6uX
>>2
ワロス

44 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 15:52:53 ID:j814thy1
俺はセレロン2.0Gで何とか持たそう。


45 :名無しのひみつ:2008/08/20(水) 22:35:47 ID:1AEtc/ca
EUVって露光プロセスの全てを反射系だけで作りかえるんでしょ?
すんごい金かかりそう。

46 :名無しのひみつ:2008/08/23(土) 20:12:53 ID:+2clFisb
液浸露光システムで35nmまでは何とかなったが、そこから先を軟X線露光
システムでやろうとすれば、露光装置が莫大高価になる。ニコンなどの
ステッパ-メーカーは大儲けできるのかもしれないがね。

47 :名無しのひみつ:2008/08/24(日) 09:39:41 ID:qGleoZF9
リコーとかオリンパスとかが作ってるの?
そういう光学部品って

48 :名無しのひみつ:2008/08/24(日) 14:02:05 ID:U0OgYPgI
リコーは作ってないだろ。

49 :名無しのひみつ:2008/08/24(日) 14:10:15 ID:rdknXN6E
フォトリソどうやってんの??
液浸のダブルパターニング??

50 :名無しのひみつ:2008/08/24(日) 14:40:28 ID:U0OgYPgI
ずいぶん昔にNECが5nmのトランジスタ作って特性を発表してたから
その程度まで微細化は可能。

22nmのSRAMセルを開発ってセル電流とそのバラつきはどっか発表されてるのかな?
単電源で使えるのかが気になる。

51 :名無しのひみつ:2008/08/24(日) 14:58:56 ID:EpNcWY89
シリコンの格子定数は、Si(100) 0.543 nm, Si(110) 0.384 nm, Si(111) 0.313 nm で
す。ですから 20nm のチャンネルでは 36 -- 63 個のシリコンしか入らなくなります。こ
んな状況で Br や P の不純物のドーピングの制御ができるなんて信じられません。

どの程度の精度で何個の不純物原始をドーピングさせているのでしょうか。専門家の方、
教えてください。よろしくお願いします。


52 :あああ:2008/08/24(日) 15:35:48 ID:dLTNULnv
ステッパーはニコンかキャノン

53 :名無しのひみつ:2008/08/24(日) 16:13:37 ID:DYL8yyOk
はいはい、IBM、IBM

54 :名無しのひみつ:2008/08/24(日) 16:59:20 ID:U0OgYPgI
>>51
チャネル幅次第じゃね?

55 :名無しのひみつ:2008/08/24(日) 17:20:10 ID:rdknXN6E
>>42
ニコンかASMLじゃね?

キャノンの液浸なんて使ってるとこ無いし。

56 :名無しのひみつ:2008/08/24(日) 17:29:15 ID:Vj6DSxGY
22nmで何yukawa?

12 KB
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています

★スマホ版★ 掲示板に戻る 全部 前100 次100 最新50

read.cgi ver 05.02.02 2014/06/23 Mango Mangüé ★
FOX ★ DSO(Dynamic Shared Object)