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【物理】シリコン基板上のグラフェン薄膜作製に初めて成功

1 : ◆NASA.emcN. @びらぼんφ ★:2008/06/25(水) 16:09:39 ID:???
東北大学 電気通信研究所の末光 眞希 教授らは、シリコン(Si)基板の表面を
工夫することで、Si基板の上にグラフェン薄膜を作製することに世界で初めて
成功しました。

グラフェンは、炭素原子が蜂の巣のような網の目状に並んだ二次元シートです。
その中では電子がまるで重さのない粒子として振る舞うため、トランジスタや
超大規模集積回路を構成する半導体デバイス材料の主流であるSi結晶より、
1桁以上高い電子輸送特性を示します。

グラフェンの持つこの優れた特性は以前(2004年)から知られていますが、
これまではSi基板上にグラフェン薄膜を形成する方法がなく、グラファイト(黒鉛)
結晶からグラフェン薄膜を粘着テープで1枚ずつ引き剥がしてSi基板上に転写する、
という原始的な方法しかありませんでした。

今回、実際の半導体集積加工プロセスに用いられるのと同じ結晶成長技術で
グラフェン形成をSi基板上で成功したことは、夢のグラフェン材料を大規模集積
回路へ適用する道を開いたという意味で、画期的な成果です。

本研究は、JST戦略的創造研究推進事業(CREST)の「次世代エレクトロニクス
デバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」研究領域における研究課題
「グラフェン・オン・シリコン材料・デバイス技術の開発」の一環として行われ、
本研究成果は2008年6月30日(アイルランド時間)にダブリンで開催される
第14回固体薄膜表面国際会議で発表されます。

(長文の為抜粋しました。続きは以下のソースをご覧下さい)
ソース:http://www.jst.go.jp/pr/announce/20080624/index.html
画像:
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20080624/icons/zu1.gif
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20080624/icons/zu3-1.gif
科学技術振興機構プレスリリース 2008年6月24日

別ソース:http://www.tohoku.ac.jp/japanese/press_release/pdf2008/20080624.pdf
東北大学発表(PDFファイル)

【参考】
http://www.eetimes.jp/contents/200803/32625_1_20080327173721.cfm
eetimes.jp(2008/03/27時点での知見)

2 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 16:11:00 ID:PbQnRIQn
シリコンおっぱい



3 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 16:26:37 ID:cyrD4umR
東北キタコレ

4 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 16:49:19 ID:j6/RgcD1
>本研究グループは、Si基板上に一度、80nmという極めて薄いSiC薄膜を形成し、
>これを熱処理することでSi基板上へのグラフェン作製に成功しました。
>その際、Si結晶とSiC結晶の間に存在する約20%の格子不整合注9)を解消するため、
>これまでとは異なる方向に切り出したSi結晶基板を用いたことがブレークスルーとなりました。
>この工夫により、Si基板の上に、これまでより歪が4分の1に抑えられたSiC薄膜を成長させる
>ことが可能になり、その結果、グラフェン形成に成功しました。

これ省略しちゃ分からんだろう

5 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 17:05:49 ID:Tc+nTnG+
大雑把にゃ電気抵抗1/10?

6 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 17:55:53 ID:p5dTRDVW
原子一個分の厚みの単電子トランジスタは何年後?

7 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 20:35:33 ID:9XuAjKGq
難しいんだぜこれ

あとはシリコン使わずに、だな

8 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 20:46:21 ID:+xQRIbHN
スレ立つの遅かったな。

9 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 21:00:31 ID:BZdrIz6Z
少なくとも一桁以上エロ画像なんだな?
よかったなお前らの夢が現実となって

10 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 21:57:10 ID:TwPj5Yhm
また東北大か!

11 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 22:10:14 ID:6Eiv9GEC
いろんなスレに書いたけど、
日本は物性強いなぁ

12 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 22:38:56 ID:o9utTxfo
これグラフェンの下をSiO2にするんだったら
グラフェンのっけた後に基盤を酸化しないとだめなんだろうけど
そんときにグラフェンも一緒に酸化されそうで嫌だな
SiO2上で出来たらいいな

13 :名無しのひみつ:2008/06/25(水) 23:07:20 ID:ZU6Sp8c7
また東北大か!

14 :名無しのひみつ:2008/06/26(木) 00:09:26 ID:lCnP0QL4
配線遅延のが問題だし

15 :名無しのひみつ:2008/06/26(木) 12:37:19 ID:YwaOn9bb
末光 眞希
てめーら男だからへんな期待すんなよ
orz

16 :名無しのひみつ:2008/06/30(月) 20:40:58 ID:IrPp9X7P
まーた東北か・・・

17 :名無しのひみつ:2008/07/05(土) 11:14:41 ID:Dq/UioyE
実用化の目処が付いたじゃ〜ないとね!

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